Samsung cria chip de memória que consome 96% menos energia

Pesquisadores da Samsung anunciaram uma nova memória baseada em transistores ferroelétricos (FeFET). A tecnologia demonstrou capacidade de reduzir o consumo de energia em até 96% em comparação com memórias flash NAND tradicionais, utilizadas em SSDs e smartphones.

A inovação, publicada na revista científica Nature, utiliza um novo composto de materiais para eliminar a necessidade de voltagem excessiva durante a leitura dos dados.

Segundo os engenheiros da fabricante sul-coreana, a tecnologia viabiliza dispositivos de armazenamento de alta capacidade e ultrabaixo consumo, o que deve atender à demanda de servidores de inteligência artificial e computação de borda (edge computing).

O desenvolvimento do FeFET visa superar uma limitação estrutural do padrão flash NAND. Nessas memórias, as células são organizadas em strings conectados em série. Para ler os dados de uma célula específica, o sistema precisa aplicar uma voltagem elétrica, chamada de “tensão de passagem”, nas células vizinhas.

Esse funcionamento cria um problema de escalabilidade: quanto maior o número de células para aumentar a capacidade de armazenamento, maior o consumo de energia acumulado pela tensão de passagem.

O portal ChosunBiz relembra que tentativas anteriores da indústria para reduzir essa voltagem resultavam na diminuição da margem de sinal, o que impedia o chip de distinguir corretamente os dados e inviabilizava o armazenamento multinível (vários bits por célula).

Fonte: Tecnoblog