Samsung lança memória turbinada para IA e quebra recorde

A Samsung divulgou nesta quarta-feira (5), durante a conferência Future of Memory and Storage 2026, a nova geração de memórias 3D voltadas para o setor de inteligência artificial. Com a promessa de acelerar o processamento de dados, a companhia apresentou a nova arquitetura zHBM e alcançou um marco histórico ao empilhar mais de 400 camadas de células de armazenamento no mesmo chip.

Até então, nos sistemas de IA, os módulos de memória ficavam instalados ao lado dos processadores. A nova tecnologia muda essa geografia ao empilhar a memória verticalmente direto sobre os chips de processamento.

A redução na distância faz com que os dados viajem de forma mais eficiente. Segundo a companhia, o desempenho de transferência de arquivos fica até oito vezes mais rápido, além de triplicar a eficiência energética.

Treinar grandes modelos de linguagem (LLMs) exige processar bilhões de parâmetros. O maior gargalo desses servidores não é apenas o poder bruto de processamento da CPU ou GPU, mas sim a velocidade com que a memória consegue fornecer as informações. Se a memória é lenta, o processador fica parado, esperando a chegada dos dados para continuar trabalhando.

Ao multiplicar a taxa de transferência, a Samsung elimina parte desse gargalo. A novidade entrega o que gigantes como OpenAI, Microsoft e Google precisam para tornar seus data centers mais rápidos e, consequentemente, mais baratos de operar em larga escala.

O lançamento também coloca a fabricante em posição de vantagem como fornecedora para o concorrido ecossistema da IA. Só no último trimestre, a divisão responsável pela fabricação de chips de memória registrou um salto de 56% nas vendas.

Fonte: Tecnoblog