Samsung revela primeiro chip de memória com 900 camadas do mundo

A Samsung alcançou um novo marco na corrida dos semicondutores ao criar o primeiro protótipo de chip de memória flash de 900 camadas. A novidade surge em meio à rápida expansão da IA, que exige cada vez mais volume de armazenamento.

Segundo o portal sul-coreano ETNews, com o feito, a fabricante não só reforça sua liderança no setor, mas também ergue uma barreira contra a expansão de concorrentes vizinhas.

As memórias flash NAND armazenam dados em servidores de IA, SSDs e smartphones. Para aumentar a capacidade sem ampliar o tamanho físico dos chips, a Samsung usa uma arquitetura baseada em camadas: em vez de distribuir os componentes na horizontal, eles são empilhados. A empresa foi pioneira nessa tecnologia em 2013.

O mecanismo é possível graças a uma mudança radical no método de construção. De acordo com o SamMobile, o novo protótipo adota uma técnica batizada de Cell Multi-Bonding (CMB). Na prática, os engenheiros produziram dois wafers (os discos de silício) independentes com 450 camadas. Em seguida, essas duas metades foram coladas, formando um módulo único de 900 camadas.

O processo de fusão, no entanto, carrega extrema complexidade. O ETNews relata que os principais obstáculos nessa junção são o empenamento e o risco de desalinhamento das trilhas microscópicas no momento exato da colagem. A Samsung conseguiu superar os riscos e aplicou melhorias no design interno de transferência de dados.

O resultado foi um componente com tamanho físico otimizado e consumo de energia ainda menor. Para afastar qualquer dúvida sobre a viabilidade do projeto, a companhia confirmou que as células do protótipo apresentaram funcionamento normal, provando que a solução é real e operacional, e não só um conceito.

Fonte: Tecnoblog